Podczas konferencji IEF (International Electronics Forum) w Sewilli HP poinformowało, że nowa nieulotna pamięć, która może zastąpić flash NAND powinna zostać wyprowadzona w przeciągu 18 miesięcy. Następca flasha jest oparty na technologii memrystorów. Układy je zawierające cechują się łączeniem możliwości pamięci oraz procesora.
W zeszłym roku HP zawarło umowę z koreańską firmą
Hynix. Współpraca ta miała pomóc w uzyskaniu nowej generacji pamięci nieulotnej wykorzystującej
memrystory (z ang. memristor, memory resistor - opornik z pamięcią). Firmy wspólnie pracują nad układami, których wyjątkowość polega m.in. na tym, że mogą one pracować jednocześnie jako procesor oraz pamięć.
HP planuje wprowadzenie memrystorów na rynek przed końcem 2013 roku. Nie ustalono jeszcze jednak żadnej konkretnej daty, a jest to raczej cel do realizacji. Sama idea memrystorów została zaprezentowana już w 2008 roku i wzbudziła wtedy bardzo duże zainteresowanie. Jest to prawdziwy przełom, który w przyszłości może zastąpić zarówno pamięć nieulotną, jak i
główną jednostkę obliczeniową oraz RAM.
Stan Williams z HP powiedział dla
ElectronicsWeekly.com, że jego zespół pracuje właśnie nad alternatywą dla pamięci DRMA, a efekty powinny pojawić się w 2014 lub 2015 roku. Nowa pamięć ma oferować poprawę o dwa rzędy wielkości w zakresie zużycia energii na bit.
-----
Na zdjęciu układu 17 memrystorów oglądany przez mikroskop.
