Dwa razy szybciej niż DDR Quad Band Memory

Firma Kentron Technologies opracowała nowy typ pamięci, charakteryzujący się dwukrotnie większą przepustowością niż popularne moduły DDR (czyli czterokrotnie większą niż SDRAM), wynoszącą 4,2 GB/s.

Firma Kentron Technologies opracowała nowy typ pamięci, charakteryzujący się dwukrotnie większą przepustowością niż popularne moduły DDR (czyli czterokrotnie większą niż SDRAM), wynoszącą 4,2 GB/s.

Nowe pamięci, nazwane QBM (Quad Band Memory), wykorzystują bardzo proste rozwiązanie, są bowiem zbudowane z dwóch standardowych modułów DDR, pracujących z częstotliwością 100~133 MHz w oddzielnych bankach, z których jeden zsynchronizowany jest z magistralą główną (FSB). Zwiększenie szybkości transferu danych uzyskano przez przesunięcie o 90 stopni fazy w drugim banku. Dzięki takiemu rozwiązaniu, nazwanemu PLL (Phase Locked Loop), możliwe jest przesyłanie podczas jednego cyklu zegara czterech pakietów danych (a nie dwóch, jak w przypadku DDR). QBM może więc stać się alternatywą dwukanałowych pamięci DDR.

Budowa modułów QBM nie różni się zasadniczo od modułów DDR. Także w przypadku rozwiązania firmy Kentron Technologies zastosowano złącze 184-pinowe. Pamięci QBM nie będą jednak działać w starszych płytach głównych, obsługujących DDR. Aby mogły prawidłowo pracować, trzeba dodać ich obsługę do chipsetu płyty głównej. Pierwszym chipsetem obsługującym nowe pamięci będzie zapowiadany układ VIA P4X333, jak sugeruje nazwa, współpracujący także z pamięciami DDR333 (PC2700) oraz z procesorami Pentium 4.

Według producenta, pamięci QBM powinny być niewiele droższe od standardowych modułów DDR, bo podobne są koszty ich wytwarzania. Analitycy oceniają, że ich cena może być zbliżona do cen układów typu DDR333.

Informacje Kentron Technologies

www.kentrontech.com


Zobacz również