MRAM: przełom w pracach nad nową pamięcią?

NEC oraz Toshiba poinformowały o postępach w pracach nad pamięcią MRAM dla urządzeń przenośnych, która ma w przyszłości zastąpić dotychczasowe rozwiązania wykorzystywane w telefonach komórkowych oraz odtwarzaczach MP3.

Pamięć MRAM (magnetoresistive random access memory), która wykorzystuje pole elektromagnetyczne do zapisu danych, podobnie jak w przypadku pamięci flash, potrafi zachowywać swoją zawartość po odłączeniu od zasilania. Jak podkreślają propagatorzy nowej technologii, jest jednak w stanie pracować dłużej niż pamięci flash, a dodatkowo, koszt jej produkcji może być niższy. Jeśli zostaną rozwiązane pewne problemy natury technicznej, pamięć MRAM jest w stanie zastąpić wykorzystywane dziś pamięci flash oraz DRAM do 2010 roku.

Problemy techniczne z pamięciami MRAM dotyczą rozmiaru komórek, w których przechowywane są dane (są one obecnie większe, niż w innych typach pamięci, co bezpośrednio wpływa na koszty produkcji oraz wyższe zużycie energii podczas ich zapisywania). Dodatkowo należy opracować sposób kontrolowania pól elektromagnetycznych w poszczególnych komórkach, tak aby nie interferowały one z sąsiednimi komórkami i nie powodowały w ten sposób błędów.

Prace nad MRAM-em zaowocowały do tej pory opracowaniem modułów dysponujących stosunkowo niską gęstością zapisu danych (dochodzących do 16 megabitów, podczas gdy w pamięciach flash gęstość zapisu podawana jest już w gigabitach).

Przedstawiciele NECa oraz Toshiby informują tymczasem o opracowaniu dwóch technologii, które mogą zrewolucjonizować prace nad pamięciami MRAM - umożliwią składowanie większej ilości danych, z wykorzystaniem mniejszej ilości energii. Jedna z technologii dotyczy alternatywnej konstrukcji poszczególnych komórek przechowujących dane, dzięki której zminimalizowano liczbę błędów oraz rozmiar takiej komórki. Druga technologia polega natomiast wykorzystaniu jednego tranzystora do kontrolowania czterech komórek (dotychczasowe rozwiązanie przewidywało oddzielny tranzystor dla każdej komórki, co powodowało powiększenie jej rozmiaru. Dopuszczalne było też całkowite wykluczenie tranzystora, czego przyczyną była większa ilość błędów). Nowa technologia pozwala na zmniejszenie rozmiaru komórki i osiągnięcie krótszego czasu odczytu danych (około 250 nanosekund).

Pomimo postępów w pracach nad pamięciami MRAM, nie ma jeszcze planów dotyczących skomercjalizowania tego rozwiązania - tłumaczy Makoto Yasuda, rzecznik Toshiby.


Zobacz również