Magnetyczne pamięci

Motorola zapowiada, że już w przyszłym roku na rynek mogą trafić pierwsze egzemplarze modułów pamięci MRAM (Magnetic RAM). Do masowej produkcji miałyby one wejść na poczatku 2004 roku. W porównaniu z tradycyjnymi pamięciami układy MRAM pozwalają m.in. na znaczne przyspieszeniu procesu uruchamiania wyposażonych w nie komputerów oraz zmniejszenie zużycia energii.

Motorola zapowiada, że już w przyszłym roku na rynek mogą trafić pierwsze egzemplarze modułów pamięci MRAM (Magnetic RAM). Do masowej produkcji miałyby one wejść na poczatku 2004 roku.

Wykorzystywane w pamięciach typu DRAM komórki przechowujące dane, w MRAM mają być zastąpione warstwą magnetyczną. Zamiast zapełniać komórki pamięci pod wpływem energii elektrycznej (tak jak w DRAM), kości MRAM przechowywałyby dane dzięki namagnesowaniu warstwy magnetycznej. Jedną z głównych zalet pamięci MRAM jest to, że w odróżnieniu od DRAM jest ona stała i zgromadzone w niej dane nie znikają w przypadku zaniku napięcia elektrycznego (jak dzieje się to w przypadku modułów DRAM).

Wykorzystanie właściwości magnetycznych zamiast elektrycznych oznacza również, że MRAM nie musiałby być czasowo odświeżany podczas uruchamiania komputera. Cecha ta pozwoli na natychmiastowe uruchamianie urządzeń wyposażonych w MRAM. Kolejną zaletą magnetycznych pamięci może być znaczne zredukowanie zapotrzebowania pamięci na energię elektryczną. Dzieje się tak dlatego, że pamięci te nie muszą być, tak jak moduły SRAM i DRAM, stale zasilane prądem.

Intensywne prace nad rozwojem MRAM prowadzą obecnie, poza Motorolą, także IBM, Intel oraz Taiwan Semiconductor Manufacturing.


Zobacz również