Magnetyczny RAM w natarciu

Motorola wyprodukowała pierwsze na świecie 4-megabitowe kości magnetorezystancyjnej pamięci o dostępie swobodnym (MRAM). Pierwsze próbki nowych produktów znalazły się już w konfiguracjach testowych kluczowych klientów koncernu.

Obecne układy produkowane są w technologii 0,18 mikrona. Pierwsze kości MRAM zaprezentowane przez Motorolę miały 1Mb pojemności i były wykonane w technologii 0,60 mikrona.

W wielu urządzeniach, systemach elektronicznych i produktach powszechnego użytku MRAM może zastąpić różne rodzaje układów pamięci. Projektanci mogą przez to uzyskać mniejszą złożoność, niższy koszt i zwiększoną wydajność systemów. Niezawodność i długowieczność MRAM dobrze sprawdza się w surowych warunkach środowiskowych i tam, gdzie wymaga się długiej pracy systemu, jak w zastosowaniach samochodowych i przemysłowych. Jako ciekawostkę można podać fakt, że ostatnio firma Honeywell zakupiła licencję na tę technologię do zastosowań wojskowych i kosmicznych.

MRAM to pamięć „nieulotna”, to znaczy, że po wyłączeniu zasilania informacja jest zachowywana w pamięci. Pamięć wykorzystuje jednokierunkowe impulsy zapisujące w izolowanych obwodach zapisu i odczytu oraz zrównoważony wzmacniacz odczytu w układzie lustra prądowego. Motorola przedstawi szczegóły zastosowania tej metody w układzie MRAM na konferencji 2003 IEEE International Elactron Devices Meeting, która odbędzie się w dniach 8-10 grudnia br.


Zobacz również