Nowe, szybkie pamięci DRAM

Koreańska firma Hynix Semiconductor zaprezentowała nową pamięć DRAM (Dynamic Random Access Memory). Firma twierdzi, że układ, który przeznaczony jest głównie na rynek telefonów komórkowych, jest najmniejszym i najszybszym tego typu rozwiązaniem na świecie.

Hynix DRAM (200 MHz)

Hynix DRAM (200 MHz)

Nowy chip to niewielka płytka (o wymiarach osiem na dziesięć milimetrów), która dysponuje pojemnością 512 megabitów (64 MB). "Nowy produkt oferuje pojemność oraz szybkość niezbędną dla telefonów komórkowych trzeciej generacji, korzystających z usług takich jak DMB (Digital Media Broadcast)" - czytamy w oficjalnej informacji prasowej.

Układ - jak twierdzi producent - daleko w tyle pozostawia konkurencyjne rozwiązania. Pracuje on z prędkością 200 MHz i oferuje wydajność na poziomie 1,6 GB danych na sekundę. Przedstawiciele firmy ujawnili również plany dotyczące połączenia nowych chipów DRAM z pamięciami NAND Flash i stworzeniu układów typu MCP (Multi-Chip Package), mających umożliwić projektowanie telefonów o wyjątkowo małej grubości.

Więcej informacji.


Zobacz również