Pamięć magnetyczna

IBM i Infineon Technologies AG rozpoczęły wspólne prace nad technologią pamięci MRAM (Magnetic Random Access Memory), która do gromadzenia i przechowywania informacji wykorzystuje ładunki magnetyczne.

IBM wraz z firmą Infineon Technologies AG rozpoczęły wspólne prace nad nową technologią pamięci MRAM (Magnetic Random Access Memory). Pamięci tego typu do gromadzenia i przechowywania informacji będą wykorzystywać ładunki magnetyczne. Zastosowanie MRAM w przenośnych urządzeniach elektronicznych (od komputerów po telefony komórkowe i konsole go gier) znacznie zwiększy ich wydajność i czas działania, bowiem magnetyczna pamięć pozwala gromadzić więcej informacji i zapewnia szybszy dostęp do nich niż stosowana dzisiaj pamięć elektroniczna.

Układy tego typu mają być tańsze w produkcji i zapewniać czas dostępu do danych na poziomie pamięci statycznych (SRAM). Pamięć MRAM zachowuje także informacje po odłączeniu urządzenia od źródła zasilania, co oznacza, że produkty takie jak komputery przenośne mogą przechodzić bezpośrednio w tryb pracy bez potrzeby bootowania programów.

Zgodnie z oświadczeniem obu firm pierwsze komercyjne zastosowania technologii MRAM pojawią się w 2004 r.


Zobacz również