Przełom w tranzystorze

Naukowcy z uniwersytetu Berkeley zaprojektowali nowy tranzystor półprzewodnikowy zwany FinFET, który może spowodować rewolucję w technologii produkcji układów scalonych. Dzięki nowej architekturze układ scalony będzie mógł zawierać 400 razy więcej elementów.

Naukowcy z uniwersytetu Berkeley zaprojektowali nowy tranzystor półprzewodnikowy zwany FinFET, który może spowodować rewolucję w technologii produkcji układów scalonych. Dzięki nowej architekturze układ scalony będzie mógł zawierać 400 razy więcej elementów.

Dotychczasowa konstrukcja tranzystora pozwalała na kontrolowanie tylko jednej strony bramki, przez którą płynie prąd elektryczny.

Natomiast bramka opracowana przez drużynę z Berkeley przypomina widelec, który steruje oboma końcami przejścia. Takie rozwiązanie daje większą kontrolę i ogranicza "przeciek" prądu.

Bramka FinFET ma 18 nanometrów długości (tyle co szerokość 100 atomów), jest więc około 10 razy krótsza od standardowego tranzystora półprzewodnikowego stosowanego dziś w przemyśle.

W przyszłości FinFET może być jeszcze o połowę krótsza. W efekcie takie specjalizowane układy jak procesory będą mniejsze, szybsze i tańsze.

Naukowcy z Berkeley postanowili nie patentować swego osiągnięcia, by znalazło jak najszersze zastosowanie.


Zobacz również