Toshiba i SanDisk gotowe do produkcji pamięci NAND w 15-nanometrowym procesie technologicznym

Już niedługo na rynku pojawią się pamięci flash wykonane przy wykorzystaniu procesu technologicznego 15 nm. Dostarczą je firmy Toshiba i SanDisk.

Firmy Toshiba i SanDisk poinformowały, że są gotowe do wdrożenia 15-nanometrowego procesu technologicznego dla pamięci NAND. Toshiba będzie produkowała w oparciu o niego 128-gibabitowe (16 GB) moduły pamięci flash wykorzystujące dwa bity na komórkę. Twierdzi przy tym, że przejście na proces 15 nm pozwoli na skorzystanie z szybszego interfejsu umożliwiającego zwiększenie transferu danych do 533 Mb/s, czyli o 1,3 raza w porównaniu do procesu 19 nm. Ponadto zapowiada, że niedługo udostępni układy z trzema bitami na komórkę przeznaczone początkowo dla smartfonów i tabletów, natomiast później dla dysków SSD wykorzystywanych przez notebooki.

15-nanometrowe moduły pamięci NAND Flash firmy Toshiba

15-nanometrowe moduły pamięci NAND Flash firmy Toshiba

SanDisk swój 15-nanometrowy proces nazwał 1Z-nm. Początkowo, podobnie jak w przypadku Toshiby, ma być on wykorzystywany w produkcji 128-gigabitowych modułów NAND flash z dwoma bitami na komórkę, natomiast w drugiej połowie 2014 roku w modułach z trzema bitami na komórkę. Znajdą one zastosowanie przede wszystkim w dyskach SSD.


Zobacz również