Toshiba - szybka pamięć, szybkie baterie

Przedstawiciele koncernu Toshiba poinformowali o opracowaniu nowej technologii budowy szybkich kości pamięci RAM. Moduły 512 Mb XDR DRAM pracują z prędkością 4,8 GHz, co stanowi 12-krotny wzrost prędkości w stosunku do pamięci obecnie instalowanych w komputerach domowych.

Toshiba 512 Mb XDR DRAM

Toshiba 512 Mb XDR DRAM

Kość 512 Mb XDR (extreme data rate) umożliwia przepustowość 12,8 gigabita danych na sekundę. Jak zapewnia rzecznik firmy, Junichi Nagaki, szybkość modułu może wzrosnąć nawet do 6,4 GHz, Toshiba planuje rozpoczęcie masowej produkcji modułu w drugiej połowie tego roku. Pamięć najprawdopodobniej znajdzie zastosowanie głównie w profesjonalnych aplikacjach do tworzenia grafiki i obróbki wideo oraz 'high-endowych' telewizorach cyfrowych.

XDR to technologia opracowana w laboratoriach firmy Rambus. Kości Toshiby wykorzystują także inną technologię Amerykanów - ODR (octal data rate). Jak przewiduje raport firmy IDC, moduły pamięci XDR wejdą do powszechnego użytku nie wcześniej niż w 2007 r.

Prototypowa bateria Toshiby

Prototypowa bateria Toshiby

Toshiba opracowała także prototyp baterii, które, jak twierdzi producent, mogą być doładowane do 60 razy szybciej niż standardowe baterie litowo-jonowe. Przedstawiciele firmy przypuszczają, że technologia wejdzie do użytku w ciągu trzech lat. Toshiba opracowała dwa prototypy baterii - mniejszy, o wymiarach 3,8x62x35 mm, waży 16 g i ma pojemność 600mAH. Drugi model jest większy (6.5x110x70 mm, waga 95 g) i pojemniejszy - 3,200 mAH.

Zwykłe baterie litowo-jonowe ładują się w tempie ok. 2, 3 % ich maksymalnej pojemności na minutę, co sprawia, że czas potrzebny do pełnego naładowania wynosi godzinę lub dłużej. Prototypowe baterie Toshiby mają absorbować w ciągu minuty ok. 80 % maksymalnej pojemności - wynika z informacji udzielonych przez producenta.

Więcej informacji: Toshiba.


Zobacz również