110 GHz w tranzystorze

Naukowcy ze School of Electronics and Computer Science stworzyli tranzystor, który jest dwukrotnie szybszy niż dostępne na rynku urządzenia. Potrafi on działać z częstotliwością dochodzącą do 110 GHz.

Elektronika w telefonach komórkowych bardzo często musi pracować z częstotliwościami stanowiącymi wielokrotność wymuszaną przez sieć operatora (900/1800/1900 MHz). Najszybsze współcześnie wykorzystywane tranzystory są taktowane zegarami 50-60 GHz, nie licząc oczywiście eksperymentalnych projektów IBM, które do poprawnej pracy potrzebują temperatury bliskiej zeru absolutnemu.

W nowych materiałach dzięki użyciu związków fluoru na etapie domieszkowania półprzedowników, udało się osiągnąć dwukrotnie wyższą częstotliwość pracy kosztem niewielkich nakładów finansowych. Pierwsze eksperymenty zatrzymywały się w pobliżu 50 GHz i dopiero dzięki dalszym udoskonaleniom osiągnięto 110 GHz.

Dodatkowe informacje: 110GHz fT Silicon Bipolar Transistors Implemented using Fluorine Implantation for Boron Diffusion Suppression (witryna w języku angielskim)