32-gigabitowe pamięci flash Samsunga

Południowokoreańska firma zaprezentowała swoje pierwsze 32-gigabitowe układy pamięci NAND flash, wykonane w procesie technologicznym 40 nm. Opracowane w ten sposób układy mogą zostać wykorzystane w kartach pamięci zdolnych do zmagazynowania nawet 64 GB danych.

Nowy układ, noszący nazwę SoC (system-on-chip), trafi do masowej produkcji w listopadzie tego roku. Koncern, który swego czasu zaadaptował słynne prawo Moore'a, zapowiadając, że co 12 miesięcy będzie produkował układy flash o pojemności dwukrotnie większej w stosunku do poprzedniej generacji, zaprezentował również nową technologię projektowania chipów pamięci flash o nazwie Charge Trap Flash (CTF). Ma ona umożliwić produkcję układów o pojemności 256 Gb w procesie technologicznym 20 nm.

32-gigabitowe pamięci flash Samsunga

Nowy układ pamięci flash Samsunga

Więcej informacji: Samsung