Samsung: 50-nanometrowe chipy DDR3 o pojemności 2 Gb
-
- 29.09.2008, godz. 21:22
Firma Samsung poinformowała o nowych 2-gigabitowych chipach DDR3. Produkowane one są w technologii 50 nm.
Nowe układy DDR3 zostały wyprodukowane w 50-nanometrowym procesie technologicznym. Oferują pojemność 2 Gb, pracują z częstotliwością 1333 MHz i korzystają z napięcia zasilającego na poziomie 1,5 V. Producent przekonuje, że zużywają one o 40% mniej energii w porównaniu do dwóch 1-gigabitowych modułów.
Nowe układy umożliwią produkcję pamięci RAM o dużej pojemności. Ich masowa produkcja ma się rozpocząć pod koniec tego roku.
Czytaj też: "Intel: 16-gigabajtowe moduły pamięci".