Samsung: 80 nanometrowe, 1-gigabitowe układy

Firma Samsung Electronics ogłosiła rozpoczęcie masowej produkcji 1-gigabitowych (Gb) układów pamięci DDR2 DRAM. Co istotne, będą one produkowane w technologii 80 nm.

Nowe 1 Gb (gigabitowe) układy produkowane są w 80 nanometrowym procesie technologicznym, dzięki czemu możliwe było zmniejszenie ich wielkości o 36% w stosunku do identycznych układów wytwarzanych w 90 nanometrowym procesie. Ich wymiary to odpowiednio 11 x 11,5 mm (80 nm) i 11 x 18 mm (90 nm).

Samsung: 80 nanometrowe, 1-gigabitowe układy

Porównanie układów 1-gigabitowych wykonanych w 90 i 80 nanometrowym procesie technologicznym

Jak twierdzi producent, wprowadzenie nowego procesu pozwoli na uzyskanie bardziej wydajnych i tańszych pamięci. Jest to bardzo istotne w związku z coraz bardziej "pamięciożernymi" programami. Potwierdzeniem tych słów są np. minimalne wymagania systemu Windows Vista.

Warto dodać, że globalny rynek pamięci DRAM warty jest prawie 29 miliardów dolarów i - jak się przewiduje - do końca 2007 roku zanotuje wzrost o kolejne 10 miliardów. Obecnie jednogigabitowe pamięci DRAM stanowią 8% całkowitej sprzedaży. Oczekuje się jednak, że w przeciągu roku przejmią następne 28%.