Samsung pracuje nad 160-warstwowym układem pamięci flash V-NAND

Południowokoreański producent podaje, że prace nad nim są bliskie końca. A czym w praktyce różniłby się od obecnych?

Samsung w celu wyprodukowania nowego układu zastosował strategię, nazwaną przez siebie "super luką", co ma mu dać przewagę nad konkurencją. Pamięć flash V-NAND (znana także jako 3D NAND) siódmej generacji ma dzięki niej składać się z 160 warstw, ułożonych w technologii podwójnej. Większa liczba warstw oznacza większą pojemność - i to najważniejsza wiadomość dla użytkowników. Jak dotąd najbardziej zaawansowane pamięci tego typu mają 128 warstw. Zostały stworzone przez Samsunga oraz SK Hynix, a wkrótce do grona ich producentów dołączy także chińska firma Yangtze Memory Technologies (YMTC). Gdyby Samsungowi udało się wyprodukować układ 160-warstwowy, byłby o krok przed konkurencją - stąd też duży nacisk na rozwój takich pamięci.

Samsung pracuje nad 160-warstwowym układem pamięci flash V-NAND

Dysk SK Hynix

A jest o co walczyć, ponieważ w bieżącym roku rynek NAND będzie wart 16,5 miliarda dolarów, z czego 35,9% udziałów na nim ma właśnie firma z Korei Południowej. W tym aspekcie na firmę Samsung nie ma wpływu obecna pandemia Covid-19. Nie zmniejszono nakładów na produkcję, ani planów związanych z rozwijaniem takich układów. Ponieważ producent zaliczył duży spadek przychodów w pierwszym kwartale 2020 roku, nowe pamięci mogą pozwolić mu na zredukowanie strat.

Źródło: SamMobile