Samsung stworzył kość pamięci 512 GB DDR5

I to się nazywa "duża pamięć" - współpraca Samsunga i HKGM zaowocowała układem o pojemności zaspokajającej potrzeby takich procesorów, jak Epyc Genoa czy Intel Xeon.

Samsung stworzył pierwszy w historii moduł pamięci 512 GB używając do tego trzydziestu dwóch stosów kości 16 GB na bazie ośmiu układów 16Gb DRAM. Jako izolatory wykorzystano dielektryki, do tego dodano silikonowane interkonekty, aby zagwarantować optymalną jakość sygnałów przy małym zapotrzebowaniu na energię. Producent nie podaje, jaka jest przepustowość układu, ale zastosowanie technologii stworzonej przez HKGM umożliwi na osiągnięcie znaczenie większych prędkości od tych, które używane są w standardowych pamięciach. Jak podaje Samsung, zredukowanie napięcia i dodanie warstwy izolacyjnej pozwala na zmniejszenie zapotrzebowania na moc o 13%, co jest szczególnie ważne w przypadku serwerów.

Gdy pamięć 512 GB zostanie użyta z procesorem mającym osiem kanałów pamięci (po dwa DIMM na kanał), umożliwi ona wyposażenie procesora w 8 TB pamięci DDR5, czyli dwukrotnie więcej, niż obecnie. Samsung rozsyła pierwsze kości testowe do swoich partnerów, a zanim oficjalnie pamięć 512 GB DDR5 wejdzie na rynek, musi jeszcze przejść certyfikację. Z pewnością będzie dobrym rozwiązaniem dla procesorów AMD EPYC 3 oraz przeznaczonych dla serwerów Intel Xeon Sapphire Rapids.

Źródło: TomsHardware