Toshiba: szybsze pamięci FeRAM o większej pojemności

Toshiba zaprezentuje wkrótce nowe układy pamięci typu FeRAM (Ferroelectric RAM), które w porównaniu do poprzednich prototypów tej firmy będą się charakteryzowały ośmiokrotnie większą szybkością przesyłania danych oraz zwiększoną pojemnością.

Podczas konferencji International Solid-State Circuits Conference, która odbywa się w San Francisco w dniach 8-12 lutego, Toshiba zaprezentuje nowe układy pamięci typu FeRAM (Ferroelectric RAM). Warto przypomnieć, iż tego typu pamięć umożliwia przechowywanie danych po odłączeniu zasilania. W porównaniu do poprzednich prototypów tej firmy nowe układy będą oferowały większą pojemność i zapewnią szybsze przesyłanie danych.

W 2006 roku Toshiba dysponowała prototypowymi układami FeRAM o pojemności 4 MB, które pozwalały przesyłać dane z szybkością 200 MB/s. Obecnie zaprezentowane zostaną układy o pojemności 16 MB. Zapewniają one możliwość przesyłania danych z szybkością 1,6 GB/s.

W dalszym ciągu będziemy jednak mieli do czynienia z prototypami. Toshiba poszukuje rozwiązań w zakresie komercyjnego wykorzystania tej technologii, ale na obecnym etapie nie ma planów związanych z rozpoczęciem masowej produkcji tego typu pamięci. Główną przeszkodą jest wysoki koszt produkcji układów.