Intel SSDSA2M160G2GC

Pozornie przejście przez Intela na technologię 34nm w produkcji wielopoziomowych (MLC) pamięci NAND-flash do dysków półprzewodnikowych niewiele zmieniło. Nawet producent nie uznał za konieczne zmienić nazwy urządzenia, chociaż z ciemnej na jasną zmienił odcień obudowy. I rzeczywiście, wyniki testów poprawiły się tylko w niewielkim stopniu. Benchmarki aplikacyjne mniej więcej o pięć procent. Odczyt został na tym samym poziomie (230 MB/s), przyspieszył zapis (100 MB/s), sporo powyżej obiecanych w specyfikacji 70 MB/s. Podobne wyniki przyniósł test kopiowania realnych plików (199 i 82 MB/s). Skrócił się czas dostępu (0,07 ms) w obu podstawowych operacjach. Nie zmieniło się zużycie energii. Do 32 MB powiększono pamięć podręczną. W efekcie Intelowi udało się odsunąć zagrożenie pochodzące od depczącej mu po piętach koreańskiej koalicji napędów opartych o pamięci Samsunga i kontrolery w jednej części tej samej firmy, w drugiej - Indilinx. W czołówce pozostał wielki ścisk. Bez nowego napędu Intel oddałby przodownictwo szybciej zapisującym konkurentom.

Niewielki optymizm po lekturze specyfikacji i testach zamienia się w entuzjazm na widok sugerowanej ceny nowych napędów. Testowany model 160 GB ma być sprzedawany za 440 dolarów, a wersja o połowę mniejsza za 225. To sporo, niemniej jednak licząc w kosztach na jednostkę pamięci taka cena jest dwukrotnie niższa od żądanej dotąd przez sprzedawców za napędy podobnej klasy i pojemności. Tak wielka przecena stała się możliwa dzięki zmniejszeniu liczby chipów bardziej zagęszczonych pamięci. Dotąd wykorzystywano dwadzieścia układów zamontowanych po obu stronach druku. Dzięki nowej technologii teraz wystarcza tylko dziesięć chipów wlutowanych po jednej stronie. Nawet w najbardziej pojemnej wersji 160 GB. Dzięki temu dysk może być nieco cieńszy (7 mm) i lżejszy (76 g) albo uzupełniony o plastikową obręcz. Pozostały dotychczasowe zalety: obsługa SMART i NCQ, możliwość wymiany firmware’u (już są słuchy o pierwszej poprawce) i zdefragmentowania dysku.