Intel przygotował pamięci zmiennofazowe

Jeszcze w pierwszym kwartale bieżącego roku do partnerów Intela trafią 90-nanometrowe pamięci zmiennofazowe. Ich masowa produkcja ma zacząć się przed końcem bieżącego roku. Te układy pamięci nieulotnej mają w przyszłości zastąpić szeroko obecnie stosowane kości flash.

Technologię pamięci PRAM Intel kupił w 2000 roku od firmy Ovonyx Inc. Od tego czasu koncern prowadził intensywne badania nad tego typu układami, mimo że firma Energy Conversion Devices - właściciel Ovonyx - uważała, iż znajdą one komercyjne zastosowanie nie wcześniej niż za 30 lat. W czerwcu ubiegłego roku Intel i STMicroelectronics ogłosiły, że będą wspólnie rozwijały układy PRAM.

W ostatnich latach zauważyć można znaczny wzrost zainteresowania tego rodzajami pamięci. Badania nad nimi prowadzą wspólnie Qimonda, IBM i tajwańska firma Macronix, a w ubiegłym miesiącu rozmowy nad utworzeniem spółki zajmującej się pamięciami zmiennofazowymi przeprowadziły Renesas i Hitachi.

Tymczasem najbardziej zaawansowane pamięci stworzył Intel. Jego 128-megabitowe prototypy wytrzymują 100 milionów cykli zapisu-odczytu i są w stanie przechowywać dane przez dłużej niż 10 lat.

Układy PRAM (phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że zapisane dane nie zostają utracone po wyłączeniu zasilania. Samsung, który pokazał swój prototyp PRAM już w ubiegłym roku, twierdzi, że pracują one 30-krotnie szybciej niż układy flash. Ponadto kości PRAM są o 50% mniejsze niż kości flash, a ich proces produkcyjny składa się z 20% mniej etapów, niż proces, w którym powstają układy flash.


Zobacz również