Magnetyczny RAM?

Tajwańskie firmy opracowały nowy typ pamięci RAM. Z podanych przez nie informacji wynika, że pamięć ta może przechowywać dane bez zasilania - dzięki zastosowaniu w nich technologii opartej na zjawisku pola magnetycznego.

Tajwańskie firmy opracowały nowy typ pamięci RAM. Z podanych przez nie informacji wynika, że pamięć ta może przechowywać dane bez zasilania - dzięki zastosowaniu w nich technologii opartej na zjawisku pola magnetycznego.

Technologia MRAM (magnetic random access memory) została opracowana wspólnie przez stowarzyszanie producentów półprzewodników TSM (Taiwan Semiconductor Manufacturing) oraz agencję rządową Erso (Electronics Research and Service Organisation).

Z informacji przekazanych przez przedstawicieli tych instytucji wynika, że nowy typ pamięci przechowuje dane w inny sposób niż SRAM (static RAM) czy DRAM (dynamic RAM). W poprzednich pamięciach dane były zapisywane (i odczytywane) dzięki różnicom w polu impulsie elektrycznym (dlatego niezbędne było stałe zasilanie). MRAM radzi sobie w inny sposób, odczytując informacje dzięki różnicom natężenia pola magnetycznego.

Dzięki ograniczeniu (choć niewyeliminowaniu) konieczności zasilania, MRAM jest, zdaniem przedstawicieli TSM i Erso, wręcz idealnym rozwiązaniem dla urządzeń przenośnych, np. notebooków czy telefonów komórkowych. Co ważne, nowe pamięci będzie można produkować za pomocą istniejących linii produkcyjnych, nie powinny więc one być znacznie droższe od pamięci dostępnych obecnie.


Zobacz również