Najmniejszy i najszybszy

Intel dokonał przełomu w konstrukcji tranzystorów, tworząc konstrukcję o grubości zaledwie trzech warstw atomowych.

Intel poinformowało o opracowaniu najmniejszego i najszybszego na świecie tranzystora typu CMOS, który pozwoli na zwiększenie prędkości procesorów i innych miniaturowych układów. Znajdzie on zastosowanie w produkcji procesorów na skalę masową w 2005 r. Dzięki niemu specjaliści Intela za 5-10 lat będą mogli stworzyć procesor zbudowany z ponad 400 mln tranzystorów, taktowany zegarem 10 GHz i zasilany napięciem nie większym niż 1V.

Tranzystor ma długość 30 nanometrów, a grubość - zaledwie trzy warstwy atomowe. Są one tak małe, że gdyby ułożyć 300 sztuk jeden na drugim, uzyskano by grubość kartki papieru. Osiągnięcie inżynierów z Intela pozwoli na obsługę zadań będących poza zasięgiem obecnej technologii, np. stworzenie systemów płynnego tłumaczenia mowy w czasie rzeczywistym. Można się spodziewać, że w przyszłości turyści podróżujący do innych krajów będą mogli swobodnie porozumiewać się, wykorzystując elektroniczne urządzenia, które "w locie" przetłumaczą na właściwy język każdy tekst.

"Opracowanie najmniejszego tranzystora świata pozwoli Intelowi na rozbudowywanie możliwości procesorów i obniżanie kosztów ich produkcji. Okazuje się, że tempo rozwoju branży procesorów jest zgodne z założeniami prawa Moora na koniec obecnej dekady" - powiedział Sunlin Chou, wiceprezes Intel Technology and Manufacturing Group.

Więcej informacji: www.intel.com/research/silicon


Zobacz również