Nowy, lepszy flash

IBM we współpracy z firmami tajwańską i niemiecką opracował prototyp nowej pamięci nieulotnej, która ma szansę zastąpić moduły flash, a nawet twarde dyski.

IBM opracował nową technologię i zaprezentował prototypy wraz z niemiecką firmą Quimonda AG (firma wywodząca się z koncernu Infineon) i tajwańskim koncernem Micronix International.

Nowe moduły PRAM ("phase-change") to pamięć nieulotna, czyli taka, która podobnie jak flash, po zaniku zasilania zachowuje dane. Materiał, z którego są wykonane, może w wyniku przepływu elektronów zmieniać swoją strukturę z amorficznej na krystaliczną.

PRAM będzie 500 razy szybsza niż flash i o wiele trwalsza, a potrzebuje dwa razy mniej energii. Dodatkowo będzie ją można produkować w najnowszych procesach technologicznych, co oznacza osiągnięcie nowych poziomów miniaturyzacji, wytwarzanie urządzeń przenośnych (odtwarzaczy MP3, pamięci pendrive itp.) jeszcze mniejszych niż obecnie.

Podobieństwa i różnice

Różnice między obiema technologiami są spore. W PRAM obwody elektroniczne są dużo mniejsze niż w pamięciach flash (mniej więcej 3 na 20 nm) dzięki zastosowaniu nowego materiału półprzewodnikowego GeSc (germanium-antimony semi-conductor alloy), którego głównym składnikiem jest specjalny stop germanu. Konsorcjum już złożyło wniosek patentowy.

Standardowe pamięci komputerowe zmieniają swój stan z zer na jedynki i odwrotnie. W wypadku technologii PCM informację taką (zero lub jedynka) reprezentuje stan materiału. Stan amorficzny reprezentuje zero, a stan krystaliczny jedynkę.

Pamięć PCM przewyższa błyskową przede wszystkim niezawodnością, poza tym pracuje dużo szybciej. Jest to możliwe, ponieważ materiał zmienia stan bez używania pływających bramek.

Pamięć błyskowa stosuje pływające bramki do magazynowania elektronów, które reprezentują binarne dane. W technologii PCM pływające bramki zostały zastąpione opornikami.

W pamięci błyskowej ponad tysiąc elektronów reprezentuje jeden stan binarny, w PCM mamy do czynienia z jedynką albo zerem zależnie od oporności materiału (czyli jego stanu).

Małe, mniejsze, najmniejsze

Jedną z najistotniejszych zalet nowych pamięci jest możliwość ich produkcji w nowoczesnych procesach technologicznych. Powszechnie wiadomo, że produkcja coraz mniejszych układów powoduje napotkanie problemu w postaci wycieków energii, a co za tym idzie niemożność przechowywania danych przy braku zasilania. Inżynierowie twierdzą, że najnowocześniejszy proces technologiczny, który będzie można zastosować w wypadku pamięci flash, to 45 nm. Zostanie wprowadzony zapewne dopiero za kilka lat, a już dziś wiadomo, że PRAM będzie można wytwarzać nawet w 22 nm. Pozostaje czekać na zakończenie testów nowych technologii i mieć nadzieję, że IBM rozreklamuje to ciekawe rozwiązanie wśród producentów pamięci. Od sukcesu marketingowego zależy bowiem powodzenie bądź porażka następcy flash.


Zobacz również