Pamięci 100 razy szybsze niż flash?

Korporacje IBM, Infineon i Macronix rozpoczęły prace nad układami, które w przyszłości mogą zastąpić pamięci flash w komputerach i urządzeniach przenośnych. Firmy testują technologię Phase-Change, która ma pozwolić na produkcję chipów szybszych, stabilniejszych i mniej zawodnych niż stosowane dotychczas pamięci flash.

Nowe układy, zwane PCM (Phase-Change Memory) wykorzystują fakt, że materiał typu Phase-Change może przyjmować dwa stany, a czynnikiem "przełączającym" jest niewielkie napięcie. Według inżynierów IBM daje to istotną przewagę nad układami flashowymi, które do oddania stanu binarnego (1 lub 0) używają milionów elektronów przechowywanych w tzw. "pływających bramkach" (Floating Gate). W PCM dane odczytywane są poprzez mierzenie oporu elektrycznego. W tym przypadku 0 reprezentowane jest przez stan amorficzny a 1 poprzez strukturę krystaliczną. Dzięki temu dane zapamiętywane są także po odjęciu napięcia.

Szef projektu, Chung Lam, twierdzi, że nowa technologia zapewni znacznie szybszy zapis i odczyt, zwłaszcza że umożliwia bezpośrednie nadpisywanie danych (w układach typu flash obszar pamięci musi zostać najpierw wyczyszczony). Ponadto materiał Phase-Change zmienia swój stan od 100 do 200 razy szybciej niż przy technologii flash.

Mimo niewątpliwych zalet pamięci PCM, opisanych już przez nas w artykule "Nowa technologia produkcji pamięci nieulotnych", IBM nie planuje wprowadzenia ich na rynek wcześniej niż za trzy lata, traktując je bardziej jako projekt badawczy niż rzeczywisty produkt.

WIęcej informacji: IBM


Zobacz również