Pamięci flash przyspieszą za rok

Koncern Toshiba poinformował, iż na przyszły rok planowane jest podwojenie prędkości zapisu i odczytu produkowanych przezeń układów pamięci flash typu NAND. Zwiększenie osiągów układów Toshiby ma nastąpić dzięki oddaniu do użytku nowej linii produkcyjnej firmy, produkującej pamięci w innym procesie technologicznym.

Obecnie oferowane przez Toshibę układy NAND flash mogą odczytywać i zapisywać dane z prędkością do 6 MB/s. Większość tych układów została wyprodukowana w procesie technologicznym 90 nanometrów. Na 2006 r. koncern planuje uruchomienie produkcji układów w procesie 52 nm. Jak wynika z deklaracji producenta, prędkość zapisu/odczytu danych w ich przypadku ma wynosić 12 MB/s. Początkowo będą one produkowane w wersjach o pojemności 2 GB.

Popyt na pamięci flash rośnie w związku z popularyzacją przenośnych nośników danych, kart pamięci, czy multimedialnych urządzeń przenośnych takich jak odtwarzacze audio-wideo oraz m.in. aparatów cyfrowych. Toshiba o palmę pierwszeństwa w tym segmencie rynku rywalizuje przede wszystkim z Samsungiem, nieco mniejszy udział wrynku mają zaś tacy producenci jak SanDisk czy Renesas Technology.


Zobacz również