Samsung i Sun: 5x bardziej trwałe pamięci flash

Firmy Samsung Electronics oraz Sun Microsystems stworzyły wspólnie nowy typ pamięci flash NAND SLC (Single level cell), który charakteryzuje się pięciokrotnie większą trwałością niż produkowane dziś układy flash. Nowa kość ma pozwolić na przeprowadzenie do 500 tys. operacji odczytu/zapisu.

W przypadku produkowanych dziś układów flash liczba możliwych operacji odczytu/zapisu jest znacznie mniejsza - przyjmuje się, że wynosi ona ok. 100 tys. w przypadku zwykłych kości SLC i ok. 10 tys. dla bardziej skomplikowanych układów typu MLC (Multi level cell). Inżynierowie Samsunga i Suna twierdzą, że udało im się pięciokrotnie zwiększyć żywotność układów SLC - stąd wyliczenie, że w nowych kościach możliwe będzie przeprowadzenie do 500 tys. operacji odczytu/zapisu.

Firmy nie poinformowały na razie, jakie dokładnie modyfikacje pozwoliły na uzyskanie takich efektów; Przedstawiciele Samsunga podkreślają jednak, iż w nowych pamięciach niezmiernie istotne jest to, że owo wydłużenie uzyskano bez wprowadzania jakichkolwiek zmian do kontrolera pamięci - zwiększenie żywotności osiągnięto dzięki zmianom w konstrukcji samych chipów flash.

Wiadomo już, że produkcją nowego typu układów zajmie się Samsung (Sun uczestniczył jedynie w pracach projektowych) i że pamięci takie pojawią się na rynku jeszcze w tym roku - będą one przeznaczone przede wszystkim do zastosowania w serwerach. Niestety, ich ceny na razie nie ustalono.


Zobacz również