Samsung pracuje nad nowym typem superszybkich pamięci flash w 3D

Koreański Samsung nie ustaje w innowacjach. Firma zaczęła produkcję pamięci typu flash dla dysków SSD, która ma być dwukrotnie szybsza i dziesięć razy bardziej wytrzymała od obecnie stosowanych kości. Wszystko dzięki trójwymiarowej strukturze składowania modułów.

Pamięć flash nowego typu będzie nazywała się V-NAND i cechować ją będzie trójwymiarowa struktura. Jak mówi Steve Weinger, dyrektor marketingu NAND oddziału Samsung Semiconductor, w nowym typie pamięci moduły mieszczące dane ułożone będą w kilku płaszczyznach. Ten sposób budowy pamięci różni się znacznie od tradycyjnego, w którym wszystkie elementy znajdują się w jednej płaszczyźnie i umieszczone są obok siebie.

Ułożenie modułów w przestrzeni zmniejsza odległość między nimi, pozwala na inny typ połączeń i w rezultacie prowadzi do zwiększenia szybkości i wydajności. Co więcej, pozwoli to też na zwiększenie pojemności dysku bez powiększania jego fizycznej objętości. Planowane pojemności dysków będą mieścić się w zakresie od 128 GB do aż 1 TB.

Samsung przeszedł już z fazy projektu do produkcji, a nowe pamięci rozsyłane są już do różnych firm, aby przeprowadziły one swoje własne badania i testy jakości. Debiutu tej nowej technologii można spodziewać się jeszcze w tym roku w dyskach SSD przeznaczonych do zastosowań biznesowych.


Zobacz również