Samsung rozpoczyna produkcję nowego typu pamięci RAM DDR3, czyli kości 4Gb 20nm

Samsung wprowadza do masowej produkcji nowy typ pamięci RAM, który wykorzystywany będzie w wielu różnych urządzeniach komputerowych. Nowa generacja kości DDR3 wykonana będzie w 20-nanometrowym procesie technologicznym.

Główną zaletą nowych kości pamięci operacyjnej RAM jest energooszczędność. Wprowadzona do masowej produkcji przez koreańską firmę Samsung pamięć RAM typu DDR3, wykonana w 20-nanometrowym procesie technologicznym, ma zużywać o 25% mniej prądu, niźli jej odpowiednik wykonany w starszym, 25-nanometrowym procesie. W przyszłości ma być możliwe osiągnięcie jeszcze lepszej oszczędności energii.

Samsung zaznacza przy tym, że wyprodukowanie kości pamięci DRAM w mniejszym procesie technologicznym to trudniejsze zadanie, niż stworzenie pamięci NAND Flash w mniejszym procesie. W przypadku pamięci typu Flash każda komórka korzysta z jednego tranzystora, podczas gdy pamięć DRAM potrzebuje nie tylko tranzystora, ale też połączonego z nim kondensatora.

Koreańska firma opracowując proces technologiczny dla nowych kości pamięci DRAM 4Gb 20nm musiała wykorzystać nowe technologie produkcyjne. Samsung chwali się przy tym, że ich opracowanie jest pierwszym krokiem do opracowania kolejnego typu pamięci, który będzie wykorzystywał już 10-nanometrowy proces technologiczny.

Biorąc pod uwagę to, że baterie są dzisiaj najsłabszym ogniwem nowoczesnych komputerowych, każda innowacja pozwalająca na minimalizację zużycia energii jest bardzo istotna z perspektywy zarówno konsumentów, jak i producentów.

źródło: slashgear.com


Zobacz również